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Data Sheet
RB425D
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
REVERSE POWER
DISSIPATION:P
R
(W)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-PR CHARACTERISTICS
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Derating Curve?(Io-Ta)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
CASE TEMPARATURE:Tc(℃)
Derating Curve?(Io-Tc)
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0
0
00.10.20 102030
0 25 50 75 100 125
Per chip
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
Per chip
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
Per chip
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0 25 50 75 100 125
Per chip
DC
D=1/2
Sin(θ=180)
Sin(θ=180)
DC
D=1/2
Sin(θ=180)
DC
D=1/2
Sin(θ=180)
DC
D=1/2
T
Tj=125℃VR=15V
D=t/T
t
VR
Io
0A
0V
T
Tj=125℃VR=15V
D=t/T
t
VR
Io
0A
0V
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2011.04 - Rev.B
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